新型存储芯片

• 来源期刊: 光学精密机械
• 学科: 工学
• 关键词: 存储芯片 美国加州大学 国家实验室 数据存储量 内存芯片 预估寿命 计算机 科学家
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 页码范围: 37
• 页数: 1页
• 分类号: TP333

摘要

美国加州大学、劳伦斯伯克利国家实验室的科学家们推出一种新的计算机内存芯片，其数据存储量要比常规硅芯片高数千倍，且预估寿命将超过10亿年。此项发现预计将发表在美国化学协会的《纳米通信》杂志上。