C波段高增益低噪声放大器单片电路设计

• 作者: 刘志军 吴洪江 高学邦
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化镓赝配高电子迁移率晶体管 C波段 低噪声放大器 微波单片集成电路 电磁仿真
• 年，卷（期）: 2009,（7）
• 所属期刊栏目: 微电子器件与技术
• 页码范围: 437-440,445
• 页数: 5页
• 分类号: TN43|TN304.23
• 字数: 2641字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2009.07.011

摘要

主要介绍了C波段高增益低噪声单片放大器的设计方法和电路研制结果.电路设计基于Agilent ADS微波设计环境,采用GaAs PHEMT工艺技术实现.为了消除C波段低噪声放大器设计中在低频端产生的振荡,提出了在第三级PHEMT管的栅极和地之间放置RLC并联再串联电阻吸收网络的方法,降低了带外低频端的高增益,从而消除了多级级联低噪声放大器电路中由于低频端增益过高产生的振荡.通过电路设计与版图电磁验证相结合的方法,使本产品一次设计成功.本单片采用三级放大,工作频率为5～6 GHz,噪声系数小于1.15 dB,增益大于40 dB,输入输出驻波比小于1.4:1,增益平坦度△GP≤±0.2 dB,1 dB压缩点P-1≥10 dBm,直流电流小于90 mA.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴洪江	中国电子科技集团公司第十三研究所	49	225	8.0	10.0
2	高学邦	中国电子科技集团公司第十三研究所	38	175	8.0	9.0
3	刘志军	中国电子科技集团公司第十三研究所	9	45	5.0	6.0