氧化铟锡薄膜电阻温度曲线中的滞后现象

• 作者: 方辉 李文杰
• 来源期刊: 厦门大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 氧化铟锡 电阻温度系数 压电电阻 滞后现象 透明导电氧化物
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 648-650
• 页数: 3页
• 分类号: O484.4
• 字数: 1920字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0438-0479.2009.05.007

摘要

用电子束蒸发技术在玻璃衬底上制备氧化铟锡薄膜,并在500℃下氮气氛围中退火1 h.将退火后的薄膜用光刻技术形成一个M型规则线图,并记录连续4轮由室温升至400℃,接着降至室温过程中样品的电阻变化.测量数据显示,电阻温度曲线在温度上升和下降阶段存在滞后现象.结合半导体载流子输运理论建立模型,与降温实验数据拟合程度很好,但当用来解释升温数据时却存在明显的偏差.由降温过程的数据计算得到氧化铟锡的电阻温度系数在温度大于380℃后趋于+1.393×10-3/℃,同时给出了氧化铟锡薄膜的激活能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李文杰	厦门大学物理与机电工程学院	1	1	1.0	1.0
2	方辉	厦门大学物理与机电工程学院	3	1	1.0	1.0