铟锡氧化程度对ITO薄膜光电特性的影响

• 作者: 孙兆奇 宋学萍 曹春斌 江锡顺
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 物理学
• 关键词: ITO薄膜 磁控溅射 氧化程度 光电特性
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 398-401
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4
• 字数: 2059字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2007.04.008

摘要

采用直流磁控溅射法在普通载玻片上制备了氧化铟锡透明导电薄膜(ITO).制备出的薄膜在大气环境下退火,退火温度分别为100℃、200℃和300℃,保温时间为1 h.对薄膜中铟锡原子的氧化程度及其光电特性进行了测试与分析.结果表明:退火温度的升高,有助于提高ITO薄膜中Sn原子氧化程度,从而提高了薄膜在可见光范围内的透射率;退火温度为200℃时,In原子氧化程度较高,薄膜中氧空位数量最多,电阻率最低为6.2×10-3Ω·cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋学萍	安徽大学物理与材料科学学院	63	367	10.0	14.0
2	孙兆奇	安徽大学物理与材料科学学院	91	563	11.0	16.0
3	曹春斌	安徽农业大学理学院	14	85	4.0	9.0
4	江锡顺	滁州学院电子信息工程系	13	88	4.0	9.0