退火温度对ITO薄膜微结构和光电特性的影响

• 作者: 万东升 孙兆奇 宋学萍 江锡顺
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ITO薄膜 磁控溅射 光电特性
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 页码范围: 1536-1540,1556
• 分类号: O484
• 字数: 3409字
• 语种: 中文

摘要

用直流磁控溅射法制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜.制备出的薄膜在大气环境下退火,退火温度分别为100℃、200℃、300℃和400℃,保温时间为1h.采用X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱仪(XPS)、紫外-可见光分光光度计和四探针测试仪等测试手段分别对薄膜的微结构、化学组分和光电特性进行了测试分析.分析结果表明:Sn元素已经溶入In2O3晶格中形成了固溶体.退火温度的升高,有助于提高ITO薄膜中Sn原子氧化程度,从而提高了薄膜在可见光范围内的透射率.退火温度为200℃时ITO薄膜的性能指数最高,为4.56×10-3 Ω-1.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋学萍	安徽大学物理与材料科学学院	63	367	10.0	14.0
2	万东升	滁州学院电子信息工程系	8	31	2.0	5.0
3	孙兆奇	安徽大学物理与材料科学学院	91	563	11.0	16.0
4	江锡顺	滁州学院电子信息工程系	13	88	4.0	9.0