同质缓冲层对氧化铟锡薄膜特性的影响

• 作者: 宋淑梅 宋玉厚 李延辉 杨田林 贾绍辉 辛艳青
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: ITO 同质缓冲层 电阻率 透过率
• 年，卷（期）: 2013,（12）
• 页码范围: 2520-2524,2531
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 3461字
• 语种: 中文

摘要

采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出了具有不同厚度ITO同质缓冲层的ITO薄膜.利用X射线衍射、半导体特性测试仪、紫外-可见光分光光度计等测试了薄膜的特性.结果表明:与单层ITO薄膜相比,具有厚度16nm ITO同质缓冲层的ITO薄膜的电阻率下降了30％,薄膜的电阻率达到2.65×10-4 Ω·cm,可见光范围内的平均透过率为91.5％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贾绍辉		6	3	1.0	1.0