同质缓冲层对ZnO薄膜光学性质的影响

• 作者: 丁瑞钦 朱慧群 胡怡 蔡继业
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体技术 射频磁控溅射 ZnO薄膜 同质缓冲层 PL谱
• 年，卷（期）: 2006,（7）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 48-51
• 页数: 4页
• 分类号: O472.3|TB383
• 字数: 3616字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2006.07.017

摘要

利用射频磁控溅射技术,在单晶硅衬底上生长出高质量(0002)晶面取向的ZnO外延薄膜.通过XRD、AFM、吸收光谱、光致荧光发光谱的实验研究,发现加入适当厚度的、低温生长的ZnO同质缓冲层,可有效降低晶格失配和因热膨胀系数不同引起的晶格畸变.在衬底温度200℃、沉积时间5 min的ZnO缓冲层上,以450℃衬底温度溅射ZnO薄膜主层,得到的ZnO样品的晶体结构、表面形貌和光学性质均有较明显的改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡继业	暨南大学化学系	224	1517	16.0	24.0
2	胡怡	暨南大学化学系	8	40	3.0	6.0
3	朱慧群	五邑大学薄膜与纳米材料研究所	29	82	4.0	6.0
4	丁瑞钦	五邑大学薄膜与纳米材料研究所	29	115	6.0	9.0