高介电栅介质ZrO2薄膜的物理电学性能

• 作者: 周阳 姚金城 常爱民 李锋 武德起 赵红生
• 来源期刊: 河北大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: ZrO2薄膜 高介电栅介质 等效厚度 漏电流
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 484-488,554
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2+1|O484
• 字数: 2905字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-1565.2009.05.010

摘要

采用脉冲激光沉积方法在Si衬底上沉积了ZrO2栅介质薄膜,X射线衍射分析表明该薄膜经过450℃退火后低介电界面层得到抑制,仍然保持非晶状态;电学测试显示10 am厚ZrO2薄膜的等效厚度为3.15 nm,介电常数12.38,满足新型高介电栅介质的要求,在-1 V偏压下Al/ZrO2/Si/Al电容器的漏电流密度为1.1×10-4A/cm2.