Si纳米线的制备方法与器件应用

• 作者: 彭英才 白振华 范志东
• 来源期刊: 河北大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: Si纳米线 制备方法 生长机制 器件应用
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 99-105
• 页数: 7页
• 分类号: TB383
• 字数: 5986字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-1565.2009.01.023

摘要

以气-液-固(VLS)、气-固-固(VSS)、固-液-固(SLS)和氧化物辅助生长(OAG)机制为主线,着重介绍与评论了几种主要的Si纳米线的制备方法,如激光烧蚀沉积(LAD)、化学气相沉积(CVD)、热蒸发和金属(Au,Fe,Ni和Al)催化生长等.简要介绍了Si纳米线及其阵列在场效应晶体管、场发射器件、太阳电池、传感器以及集成电子器件等方面的应用.最后,讨论了各种制备方法的优势与不足,指出了该研究领域今后的发展方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭英才	河北大学电子信息工程学院	103	593	12.0	19.0
2	范志东	河北大学电子信息工程学院	14	41	4.0	6.0
3	白振华	河北大学电子信息工程学院	5	14	2.0	3.0