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摘要:
正性光敏聚酰亚胺(p-PSPI)是一类重要的集成电路(IC)封装材料,广泛用于IC器件的应力缓冲、表面钝化以及层间绝缘.与传统的负性光敏聚酰亚胺(n-PSPI)相比,p-PSPI无论在光刻精度还是环境友好性方面均表现出了更为优良的品质.文章综述了国内外p-PSPI电子封装材料的最新研究与应用进展状况.系统阐述了P-PSPI的光化学机理.对目前商业化p-PSPI产品的特性、在微电子以及光电子领域的应用和未来发展趋势进行了介绍.最后对国内高性能p-PSPI电子材料的研发工作提出了建议.
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文献信息
篇名 正性光敏聚酰亚胺研究与应用进展(二)
来源期刊 电子与封装 学科 工学
关键词 正性光敏聚酰亚胺 光刻 微电子封装 光电器件
年,卷(期) 2009,(1) 所属期刊栏目 封装、组装与测试
研究方向 页码范围 7-11,23
页数 6页 分类号 TN304
字数 2901字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1681-1070.2009.01.002
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘金刚 高技术材料实验室中国科学院化学研究所 8 80 5.0 8.0
2 杨士勇 高技术材料实验室中国科学院化学研究所 6 61 4.0 6.0
3 袁向文 2 7 2.0 2.0
4 尹志华 高技术材料实验室中国科学院化学研究所 2 7 2.0 2.0
5 左立辉 2 7 2.0 2.0
传播情况
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引文网络
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节点文献
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