室温似单电子晶体管高电流分析

• 作者: 宋玲 张洪涛 李利荣 王琰 许正望 黄杰
• 来源期刊: 湖南工业大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米线MOSFET 单电子晶体管 I-V大电流 电子对
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 应用技术
• 页码范围: 69-72
• 页数: 4页
• 分类号: TN323
• 字数: 4667字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-9833.2009.02.017

摘要

在实验中观察到纳米线金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)室温下出现I-V高电流似单电子库仑阻塞特性.分析了这一现象产生的机理,提出了似单电子库仑阻塞模型,认为纳米线晶体中的结构发生变化,造成特殊的"岛",电子在耦合机制的作用下,形成类似的库伯电子对,在"岛"上实现似单电子隧穿.这时,库仑阻塞效应的机制由单电子变成成对的多电子,这可造成充电能增大.在室温下隧穿.由于耦合电子对的出现,随栅压加大,使电子隧穿时,既可实现库仑阻塞,又使电流加大,室温下出现高电流台阶.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许正望	湖北工业大学电气与电子工程学院	31	42	4.0	5.0
2	李利荣	湖北工业大学电气与电子工程学院	13	48	3.0	6.0
3	张洪涛	湖北工业大学电气与电子工程学院	43	121	6.0	9.0
4	黄杰	湖北工业大学电气与电子工程学院	4	6	2.0	2.0
5	王琰	湖北工业大学电气与电子工程学院	15	7	2.0	2.0
6	宋玲	湖北工业大学电气与电子工程学院	6	28	2.0	5.0