基于MEMS开关的ET OFDM高效率PA设计

• 作者: 赵继德 魏德芳
• 来源期刊: 激光杂志
• 学科: 工学
• 关键词: 放大器 FF OFDM WIMAX
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 实验装置与技术
• 页码范围: 30-31
• 页数: 2页
• 分类号: TN248.1
• 字数: 2087字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0253-2743.2009.05.013

摘要

本文研究了基于MEMS开关的ET结构OFDM功率放大器,采用预失真功率放大器的结构可提高功率放大器效率.分析OFDM的发射标准,利用低损耗,高隔离度的MEMS开关来实现ET结构电压选择.利用GaN HEMT(Heterostructure Field-Effect Transistors)RF3821晶体管建立了基于MEMS开关的ET结构的PA模型,进行了实际电路设计,并利用了ADS软件进行仿真分析,输入1W的OFDM信号时,漏极效率为52%,EVM约为2.94%,输出功率为50W,增益为13dB.该功率放大器完全可以应用于OFDM系统中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏德芳	鲁东大学物理与电子工程学院	6	6	1.0	2.0
2	赵继德	鲁东大学物理与电子工程学院	7	28	3.0	5.0