中子发生器中二次电子抑制的数值模拟

• 作者: 戴晶怡 杨中海 金大志
• 来源期刊: 电子科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 中子发生器 数值模拟 二次电子 抑制
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 物理电子学
• 页码范围: 83-86
• 页数: 4页
• 分类号: TL501+.7
• 字数: 2581字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0548.2009.01.022

摘要

讨论了密封中子发生器中二次电子流的产生机制,介绍了几种不同的二次电子流的抑制方法.针对不同的抑制方法进行了粒子模拟实验,结果表明,在直接利用法拉第圆筒形状的加速电极抑制的情况下,只能抑制住部分二次电子,一部分电子还可以通过加速孔进入加速空间形成二次电子流,二次电子流约占靶面二次电子发射电流的1/5.在法拉第圆筒状加速电极的基础上加上电场抑制,能很好地抑制二次电子流的产生,当偏压为300V时,二次电子电流近似为零.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨中海	电子科技大学物理电子学院	97	814	15.0	24.0
2	金大志	电子科技大学物理电子学院	43	130	6.0	8.0
6	戴晶怡	中国工程物理研究院电子工程研究所	26	94	6.0	7.0