电磁环境中电子器件的失效分析

• 作者: 张芳 朱艳辉 蔡金燕
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 退化失效 栅氧化层软击穿 随机过程模型 动态应力-强度干涉模型 电磁脉冲应力
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 纳米、固态及真空电子器件
• 页码范围: 368-371
• 页数: 4页
• 分类号: TB114.3
• 字数: 465字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2009.02.034

摘要

以现在应用较广泛的电子器件-MOS器件在电磁环境中的失效建模为例,针对MOS器件受到电磁脉冲和周期脉冲的冲击后,所表现出来的失效特征,得出它符合基于随机过程的退化失效模型所描述的结论.根据结论和两种电应力的特点,分别提出基于随机过程的失效建模和动态应力-强度干涉建模.通过模型的建立和分析,初步制定出电子器件失效的试验方案.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡金燕	军械工程学院光学与电子工程系	144	811	13.0	18.0
2	张芳	军械工程学院光学与电子工程系	16	51	4.0	6.0