生长温度对单晶衬底上生长Ba(Zr0.2Ti0.8)O3薄膜微结构和介电性能的影响

• 作者: 张鹰 接文静
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 工学
• 关键词: 锆钛酸钡 薄膜 脉冲激光沉积 生长温度 介电性能
• 年，卷（期）: 2009,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文,英文
• 页码范围: 1424-1428
• 页数: 5页
• 分类号: TB43
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0454-5648.2009.08.028

摘要

采用脉冲激光沉积方法,在制备有LaNiO3(LNO)底电极的LaAlO3(LAO)衬底上,分别在500,600℃和700℃的沉积温度下制备了锆钛酸钡Ba(Zr0.2Ti0.8)O3(BZT)薄膜.通过X射线衍射表征薄膜的结构特性,原子力显微镜和扫描电子显微镜分别用来表征样品的表面和断面形貌.结果表明:BZT薄膜与LNO具有c轴取向,并以cube-on-cube方式排列生长.BZT薄膜表面致密无裂缝,具有柱状生长的晶粒.薄膜的介电性能测试显示:600℃下沉积的BZT薄膜具有较高的介电可调性(49.1%)和较低的介电损耗(2.5%).在600℃下沉积的BZT薄膜的优值因子(figure of merit,FOM)达到19.8.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张鹰	电子科技大学微电子与固体电子学院	47	169	7.0	9.0
2	接文静	西南科技大学国防科技学院	1	1	1.0	1.0