表面粗糙度对化学机械抛光工艺过程流动性能的影响

• 作者: 李明军 谭援强 高太元 魏红波
• 来源期刊: 润滑与密封
• 学科: 数学
• 关键词: 化学机械抛光 润滑方程 粗糙表面 分形
• 年，卷（期）: 2009,（8）
• 所属期刊栏目: 试验研究
• 页码范围: 33-38,52
• 页数: 7页
• 分类号: O35|O241.82
• 字数: 3656字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0254-0150.2009.08.009

摘要

采用随机中点位移法通过计算机模拟抛光垫和晶片的基于分形的粗糙表面,构造了一种新的膜厚方程.在新膜厚方程的基础上分析了一般润滑方程及带离心项的润滑方程对化学机械抛光(CMP)过程中抛光液的压力分布以及无量纲载荷和转矩的影响.结果表明,考虑抛光垫和晶片表面的粗糙程度的影响时,抛光液的压力分布有一定的波动,且压力最大值有所增大,压力最小值有所减小;此外无量纲载荷和转矩的数值也变小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谭援强	湘潭大学机械工程学院	88	747	15.0	22.0
2	李明军	湘潭大学数学与计算科学学院	22	83	5.0	8.0
3	魏红波	湘潭大学数学与计算科学学院	2	5	1.0	2.0
4	高太元	中国科学院力学研究所	1	4	1.0	1.0