PVT法碳化硅单晶生长系统的电磁学模型及其有限元分析

• 作者: 孟大磊 徐昊 王玉芳
• 来源期刊: 化学工程与装备
• 关键词: SiC晶体 物理气相输运法 磁矢势 有限元素法 热功率密度
• 年，卷（期）: 2009,（7）
• 所属期刊栏目: 研究开发
• 页码范围: 13-16
• 页数: 4页
• 字数: 2369字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-0735.2009.07.005

摘要

本文从物理气相输运法生长碳化硅单晶的实际装置出发,对系统中的电磁感应部分建立模型,采用有限元素法对矢势进行数值分析,进而给出系统各处的焦耳热功率密度.通过分析比较发现:在5-40kHz频率范围内,电流密度相同,较高的激励电流频率所产生的热功率密度更大,从而有利于系统内能的积聚.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王玉芳	南开大学物理科学学院	40	196	8.0	12.0
2	孟大磊		1	0	0.0	0.0
3	徐昊		1	0	0.0	0.0