In/Sb掺杂SnO_2纳米薄膜的H_2S气敏特性

• 作者: 周东祥 李冠娜 赵俊 郝永德
• 来源期刊: 仪表技术与传感器
• 学科: 工学
• 关键词: 气敏薄膜 二氧化锡 铟掺杂 硫化氢 溶胶-凝胶法
• 年，卷（期）: 2009,（11）
• 所属期刊栏目: 传感器技术
• 页码范围: 1-3,10
• 页数: 4页
• 分类号: TP212
• 字数: 3208字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-1841.2009.11.001

摘要

采用溶胶-凝胶浸渍提拉法(Sol-Gel Dip-Coating, SGDC)制备SnO_2纳米晶薄膜气敏传感器.较系统地研究了掺杂量、镀膜层次和热处理温度等制备工艺对薄膜表面形貌、晶粒大小及气敏性能的影响.研究结果表明:铟的最佳掺杂量为4at%,最佳镀膜层数为7层,最佳热处理温度为600 ℃.气敏传感器最佳工作温度为165 ℃,在此工作温度下,薄膜的灵敏度分别为26.3(137 ppm H_2S)和2.5(2.74 ppm H_2S),薄膜的响应恢复时间较短分别为8 s和22 s,对H_2S气体有较好的选择性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵俊	华中科技大学教育部敏感陶瓷工程中心	18	85	6.0	8.0
2	郝永德	华中科技大学教育部敏感陶瓷工程中心	20	74	6.0	7.0
3	周东祥	华中科技大学教育部敏感陶瓷工程中心	161	1320	16.0	25.0
4	李冠娜	华中科技大学教育部敏感陶瓷工程中心	1	6	1.0	1.0