ZnS掺杂WO_3纳米粉体的制备及H_2S气敏性能

• 作者: 冯青琴 牛新书 魏少红
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: WO_3纳米粉体 ZnS掺杂 共沉淀法 气敏元件
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 14-16
• 页数: 3页
• 分类号: TP212.2
• 字数: 2334字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2010.02.005

摘要

采用共沉淀法制备了w(ZnS)为0～0.2%的ZnS-WO_3纳米粉体,利用X射线衍射仪分析了粉体的微观结构,探讨了ZnS掺杂量、工作温度对由所制粉体制成的气敏元件的气敏性能的影响.研究发现:适量的ZnS掺杂抑制了WO_3晶粒的生长,提高了粉体对H_2S的灵敏度.其中,掺杂ZnS的质量分数为1.0%的烧结型气敏元件,在160 ℃时对体积分数为0.001%的H_2S的灵敏度达到87,响应时间7 s,恢复时间12 s.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	牛新书	河南师范大学化学与环境科学学院	70	1487	23.0	35.0
2	冯青琴	安阳师范学院化学系	27	177	9.0	12.0
3	魏少红	安阳师范学院化学系	24	214	8.0	14.0