硅材料的场致线性电光效应

• 作者: 任策 刘秀环 孙鉴波 张玉红 时宝 曹昆 武文卿 王爽 贾刚 赵建勋 陈占国
• 来源期刊: 光学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 非线性光学 场致线性电光效应 场致光整流 克尔效应 横向电光调制 硅材料
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 非线性光学
• 页码范围: 1336-1340
• 页数: 5页
• 分类号: O436
• 字数: 3895字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/AOS20092905.1336

摘要

从经典的极化理论出发,分析了直流电场、低频调制电场和光波电场共同存在时硅材料折射率的变化,从理论上揭示了场致线性电光效应的物理实质.以近本征硅材料为样品,采用金属-绝缘体-半导体样品结构,搭建了由塞纳蒙(Senarmont)补偿器改进成的横向电光调制系统.在硅材料空间电荷区内观测到显著的线性电光调制效应,系统的半波电压小于170 V,从实验上直接证实了硅材料中内建电场诱导的场致线性电光效应的存在.此外还观测到由克尔效应引起的二次电光凋制信号.以及由场致光整流效应引起的、随线偏振光的方位角的二倍余弦变化的电信号.实验结果与经典极化理论的预期完全一致,也间接证实了硅材料中场致线性电光效应的存在.