考虑通孔效应和边缘传热效应的纳米级互连线温度分布模型

• 作者: 朱樟明 杨银堂 郝报田 钟波 钱利波
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 通孔效应 边缘传热效应 纳米级互连线 温度分布模型
• 年，卷（期）: 2009,（10）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 7130-7135
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.076

摘要

提出了同时考虑通孔效应和边缘传热效应的互连线温度分布模型,获得了适用于单层互连线和多层互连线温度分布的解析模型,并基于65 nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺参数计算了不同长度单层互连线和多层互连线的温度分布.对于单层互连线,考虑通孔效应后中低层互连线的温升非常低,而全局互连线几乎不受通孔效应的影响,温升仍然很高.对于多层互连线,最上层互连线的温升最高,温升和互连介质层厚度近似成正比,而且互连介质材料热导率越低,温升越高.所提出的互连线温度分布模型,能应用于纳米级CMOS计算机辅助设计.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子研究所	420	2932	23.0	32.0
2	朱樟明	西安电子科技大学微电子研究所	164	1318	18.0	26.0
3	钱利波	西安电子科技大学微电子研究所	5	53	5.0	5.0
4	钟波	西安电子科技大学微电子研究所	3	21	3.0	3.0
5	郝报田	西安电子科技大学微电子研究所	3	19	2.0	3.0