一种考虑硅通孔电阻-电容效应的三维互连线模型

• 作者: 朱樟明 杨银堂 钱利波
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 三维集成 硅通孔 互连延时 功耗
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 453-459
• 分类号: TN405.97
• 语种: 中文

摘要

硅通孔（TSV）是三维集成电路的一种主流技术.基于TSV寄生参数提取模型,对不同物理尺寸的TSV电阻-电容（RC）参数进行提取,采用Q3D仿真结果验证了模型精度.分析TSV RC效应对片上系统的性能及功耗影响,推导了插入缓冲器的三维互连线延时与功耗的解析模型.在45 nm互补金属氧化物半导体工艺下,对不同规模的互连电路进行了比较分析.模拟结果显示,TSV RC效应导致互连延时平均增加10%,互连功耗密度平均提高21%;电路规模越小,TSV影响愈加显著.在三维片上系统前端设计中,包含TSV寄生参数的互连模型将有助于设计者更加精确地预测片上互连性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子学院	420	2932	23.0	32.0
2	朱樟明	西安电子科技大学微电子学院	164	1318	18.0	26.0
3	钱利波	西安电子科技大学微电子学院	5	53	5.0	5.0