考虑硅通孔的三维集成电路热传输解析模型

• 作者: 左平 朱樟明 杨银堂
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 三维集成电路 热管理 硅通孔 等效热模型
• 年，卷（期）: 2011,（11）
• 所属期刊栏目: 总论
• 页码范围: 675-680
• 分类号: TP333.7
• 语种: 中文

摘要

基于不考虑硅通孔的N层叠芯片的一维热传输解析模型,提出了硅通孔的等效热模型,获得了考虑硅通孔的三维集成电路热传输解析模型,并采用Matlab软件验证分析了硅通孔对三维集成电路热管理的影响.分析结果表明,硅通孔能有效改善三维集成电路的散热,硅通孔的间距增大将使三维集成电路的温升变大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子学院	420	2932	23.0	32.0
2	朱樟明	西安电子科技大学微电子学院	164	1318	18.0	26.0
3	左平	西安电子科技大学微电子学院	1	22	1.0	1.0