三维集成电路堆叠硅通孔动态功耗优化?

• 作者: 杨银堂 武文珊 董刚
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 三维集成电路 堆叠硅通孔 动态功耗 延时
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、力学和热学性质
• 页码范围: 26601-1-26601-7
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.64.026601

摘要

三维集成电路堆叠硅通孔结构具有良好的温度和热特性.提出了一种协同考虑延时、面积与最小孔径的堆叠硅通孔动态功耗优化办法.在提取单根硅通孔寄生电学参数的基础上，分析了硅通孔的直径对多层硅通孔的功耗与延时性能的影响，由此构建了分层逐级缩减堆叠硅通孔结构，分析了硅通孔高度与氧化层厚度的影响.结果表明，该模型可在牺牲少许延时的情况下显著优化动态功耗，在允许牺牲延时5%的情况下，堆叠硅通孔的动态功耗最多可减少19.52%.