100 keV质子辐照对空间GaAs/Ge太阳电池光电效应的影响

• 作者: 何世禹 吕伟 吴宜勇 孙强 孙彦铮 肖志斌 肖景东 赵慧杰 黄才勇
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaAs/Ge太阳电池 质子辐照 光电效应
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 404-410
• 页数: 7页
• 分类号: O3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.062

摘要

利用空间环境模拟设备,用固定能量为100 keV、注量为1×109-3×1012cm-2的质子,对空间实用GaAs/Ge太阳电池进行了辐照试验.利用伏安(I-V)特性、光谱响应和光致发光(PL)光谱测试,研究分析了电池的光电效应.试验表明,电池的各种电性能参数如短路电流(Isc)、开路电压(Voc)、最大输出功率(Pm)和填充因子(FF)都因质子辐照注量的增加,出现不同程度的衰降.在质子能量相同条件下,电池电性能衰降均随照射注量增大而增大.质子辐照对材料的光电性能具有破坏性的影响.这种破坏性是由于质子辐照引入的大量缺陷,使晶格空间的完整性受到破坏,导致少子的扩散长度降低、表面复合速度增加所致.