一种基于第一性原理的4H-SiC结构缺陷计算模型

• 作者: 张玉明 李德昌 汤晓燕 苗瑞霞 高春燕
• 来源期刊: 科技信息
• 关键词: 4H-SiC 缺陷模型 第一性原理计算
• 年，卷（期）: 2009,（29）
• 所属期刊栏目: 科教前沿1
• 页码范围: 50-51
• 页数: 2页
• 字数: 1901字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9960.2009.29.032

摘要

本文运用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法,根据原子尺度上的缺陷特性研究了4H-SiC的位错结构模型,并对4H-SiC基面位错的结构进行分析,建立了一种模型.文章简要介绍了4H-SiC材料中结构缺陷的分子动力学模拟方法,势能模型及主要技术细节.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张玉明	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	126	777	15.0	20.0
2	李德昌	西安电子科技大学理学院	20	82	6.0	7.0
3	高春燕	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	15	42	3.0	6.0
5	汤晓燕	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	24	144	7.0	11.0