UDMOSFET的dv/dt研究

• 作者: 孙永斌 张姝茵 王新
• 来源期刊: 中国科技博览
• 学科: 工学
• 关键词: UDMOSFET dv/dt CxdCdv
• 年，卷（期）: 2009,（28）
• 所属期刊栏目: 科学论坛
• 页码范围: 172-173
• 页数: 2页
• 分类号: TN3
• 字数: 1884字
• 语种: 中文

摘要

本文介绍了功率UDMOSFET的交流参教dv/dt特性,总结了三种由于dv/dt过大导致的失效情况,并且给出了dv/dt的解析表达式,从而可更加直现的理解一些结构参数对瞬态特性影响程度,提出改进器件dv/dt特性的有效措施.解析表达式的计算值对设计功串UDMOSFET提供了重要的依据,具有一定的指导性.