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摘要:
共晶焊接质量对芯片的可靠性及寿命影响很大.在这方面,通过改进后的真空共晶设备比改进前更具有优势.分析了真空环境对共晶焊接的影响,在原有设备增加了分子泵的情况下,实现无空洞焊接.对甲酸气体保护下的In焊料焊接进行了分析,并结合实际经验给出合理的工艺曲线,证实了在真空室加入甲酸气体的保护下,可以把In焊料表面的氧化层去除,使焊料在浸润性方面具有明显的优势.
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文献信息
篇名 真空共晶设备的改进对共晶焊接质量的影响
来源期刊 电子工业专用设备 学科 工学
关键词 真空 共晶 空洞 甲酸
年,卷(期) 2010,(10) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 44-47
页数 分类号 TG456
字数 1873字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-4507.2010.10.011
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杨凯骏 中国电子科技集团公司第二研究所 6 42 3.0 6.0
2 井文丽 中国电子科技集团公司第二研究所 11 19 2.0 4.0
3 张建宏 中国电子科技集团公司第二研究所 5 37 4.0 5.0
4 王宁 中国电子科技集团公司第二研究所 40 51 4.0 6.0
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真空
共晶
空洞
甲酸
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
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期刊影响力
电子工业专用设备
双月刊
1004-4507
62-1077/TN
大16开
北京市朝阳区安贞里三区26号浙江大厦913室
1971
chi
出版文献量(篇)
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10002
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