三代半导体材料构成光子晶体能态密度的研究

• 作者: 宗明吉
• 来源期刊: 激光与红外
• 学科: 物理学
• 关键词: 光子晶体 平面波展开法 能态密度分布
• 年，卷（期）: 2010,（8）
• 页码范围: 892-895
• 分类号: O731
• 字数: 2424字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5078.2010.08.022

摘要

基于光子晶体广泛应用,本文利用平面波展开法研究了三代半导体材料构成三角晶格光子晶体能态密度分布规律.得到了当Si作为背景材料构成光子晶体在f=0.25时构成最大光子禁带.AlP作为背景材料构成光子晶体在f=0.24时构成最大光子禁带.GaN作为背景材料构成光子晶体在f=0.3时构成最大光子禁带.三代半导体构成光子晶体对应最大光子晶体禁带宽度较第一二代逐渐增大,研究结果为光子晶体器件的构造提供理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宗明吉	枣庄学院物理与电子工程系	9	14	2.0	2.0