Ⅲ-Ⅴ族半导体材料组成光子晶体能态密度特性

• 作者: 陈士芹
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 光电子学 能态密度特性 平面波展开法 半导体材料 光子晶体
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 所属期刊栏目: 半导体光电
• 页码范围: 491-494
• 分类号: O431.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2012.04.018

摘要

基于平面波展开法,以Ⅲ-Ⅴ族半导体材料AIP、AlAs、AlSb和GaP构成二维方形格子光子晶体,并对其光子晶体能态密度特性进行了数值模拟.结果表明,Ⅲ-Ⅴ族半导体材料构成二维方形格子光子晶体具有较好的光子带隙,形成的最大带隙随介电常数差值的增大而增大,f=0.2a时归一化频率达到最大光子带隙,AlSb具有较宽的光子禁带.该研究结果为光子晶体器件的研究提供了理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈士芹	临沂大学实验管理中心	2	5	1.0	2.0