样品温度对Ar+与SiC样品表面相互影响的分子动力学模拟

• 作者: 刘华敏 吕晓丹 孙伟中 张浚源 潘宇东 苟富均 赵成利
• 来源期刊: 核聚变与等离子体物理
• 学科: 工学
• 关键词: 分子动力学 SiC 溅射 密度
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 317-322
• 分类号: TL62+7
• 字数: 3653字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0254-6086.2010.04.006

摘要

采用分子动力学模拟方法研究了样品温度对Ar+与SiC样品表面相互作用的影响.由模拟结果可知,SiC样品中Si原子的溅射产额随着温度的升高而增加,而温度对C原子的溅射产额影响不大.在相同温度下,Si原子的溅射产额要高于C原子的溅射产额.溅射出来的Si原子和C原子主要来源于样品的表层区域,样品中的Si和C原子密度、键密度及它们的成键方式也发生了较大的变化.初始样品中Si和C原子的密度是均匀的,而被轰击过后的样品表面Si原子的密度要高于C原子,而样品中部C原子的密度要高于Si原子.初始样品都是Si-C键,成键方式为Si-Csp3;被轰击过后又有Si-Si和C-C键,成键方式也发生了变化,还有Si-Csp1和Si-Csp2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	潘宇东		27	80	5.0	7.0
2	刘华敏	四川大学原子核科学技术研究所辐射物理及技术教育部重点实验室	4	2	1.0	1.0
3	吕晓丹	贵州大学等离子体与材料表面作用研究所	15	59	4.0	7.0
4	孙伟中	四川大学原子核科学技术研究所辐射物理及技术教育部重点实验室	7	7	1.0	2.0
5	张浚源	四川大学原子核科学技术研究所辐射物理及技术教育部重点实验室	8	8	1.0	2.0
6	赵成利	贵州大学等离子体与材料表面作用研究所	8	11	2.0	2.0