应用强磁场控制Zn薄膜取向研究

• 作者: 任忠鸣 任树洋 任维丽
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 薄膜取向 基底材料 强磁场 磁取向
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 430-433
• 分类号: O484.1
• 字数: 1991字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2010.04.19

摘要

在不同磁场下,用真空蒸发法制备了不同方向放置的Zn薄膜.对样品进行X射线衍射分析表明,在大于3 T的磁场环境下,垂直于磁场放置的基片上制备的Zn薄膜最强衍射峰为(002),而平行于磁场方向放置的基片上制备的试样最强衍射峰为(101).Zn的磁各向异性引起了晶体在磁场环境下的择优生长,磁能较低的c轴方向是Zn薄膜的优先生长方向.利用磁场诱导晶体取向这一特性,提出了一种控制薄膜取向的新方法,通过调整基片与磁场方向的放置角度即可对制备薄膜的取向进行调整.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任忠鸣	上海大学材料科学与工程学院	241	1818	22.0	29.0
2	任维丽	上海大学材料科学与工程学院	44	183	7.0	10.0
3	任树洋	上海大学材料科学与工程学院	7	21	3.0	4.0