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摘要:
随着集成电路尺寸的日益降低,工艺制程和非工艺制程变量对电路的影响越来越重要.针对组成高性能处理器的多米诺电路,对影响其功耗、延迟以及噪声的工艺、电压和温度因素,采用45nm BSIM4工艺模型进行了仿真分析,指出了为满足不同的设计指标必须考虑的设计因素,并分析给出了一个全局最优的性能指标.
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文献信息
篇名 基于PVT变量的多米诺电路性能分析和优化
来源期刊 微处理机 学科 工学
关键词 PVT变量 多米诺 漏电流 低功耗 延迟 噪声容限
年,卷(期) 2010,(5) 所属期刊栏目 大规模集成电路设计、制造与应用
研究方向 页码范围 28-31,34
页数 分类号 TN4
字数 3674字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1002-2279.2010.05.009
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李宏 西北工业大学电子信息学院 119 1312 19.0 30.0
2 孟宪超 西北工业大学电子信息学院 1 1 1.0 1.0
3 杜雪 西北工业大学自动化学院 1 1 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
PVT变量
多米诺
漏电流
低功耗
延迟
噪声容限
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微处理机
双月刊
1002-2279
21-1216/TP
大16开
沈阳市皇姑区陵园街20号
1979
chi
出版文献量(篇)
3415
总下载数(次)
7
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