一种新型离子束刻蚀装置的研制

• 作者: 张冬艳 陈特超
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 离子束 刻蚀 均匀性
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 光刻与刻蚀
• 页码范围: 34-36
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 1839字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2010.01.008

摘要

介绍了一种新型离子束刻蚀装置.该装置具有如下特点:工件台可进行二维运动,带有自动挡板机构和独立的测束装置,中国电子科技集团公司第四十八研究所研制的平行束离子源,以及分子泵加机械泵的真空系统.工艺试验结果表明,该设备是一台先进的半导体工艺设备,性能稳定.刻蚀均匀性可达±4%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈特超	中国电子科技集团公司第四十八研究所	21	38	3.0	5.0
2	张冬艳	中国电子科技集团公司第四十八研究所	3	9	2.0	3.0