生长温度对TCVD法制备定向碳纳米管薄膜影响

• 作者: 张秉檐 漆昕
• 来源期刊: 制造业自动化
• 学科: 化学
• 关键词: 碳纳米管 磁控溅射 氨刻蚀 顶端生长
• 年，卷（期）: 2010,（12）
• 页码范围: 199-201
• 分类号: O643
• 字数: 1884字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-0134.2010.12.65

摘要

本文通过磁控溅射技术在单晶硅上制备了Ni薄膜作为催化剂,采用热化学气相沉积法(TCVD)以乙炔为碳源,合成了定向碳纳米管薄膜.通过扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)表征了碳纳米管薄膜的表面微观形貌和内部结构,考察了温度对氨刻蚀催化剂膜和定向生长碳纳米管薄膜过程的影响.结果表明:在其他工艺参数条件一定的情况下,只有反应温度在750℃左右时,颗粒大小适中、分布均匀、催化活性适当、管型较准直;由透射电镜分析发现,在单晶硅上生长的碳纳米管为顶端生长模式,并初步讨论了制备取向碳纳米管的生长机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	漆昕	华东交通大学轨道交通学院	8	73	5.0	8.0
2	张秉檐		2	0	0.0	0.0