AlN基稀磁半导体的研究进展

• 作者: 王腊节 聂招秀
• 来源期刊: 材料导报：纳米与新材料专辑
• 学科: 工学
• 关键词: ALN 稀磁半导体 居里温度 掺杂 过渡元素
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 页码范围: 304-306
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.7

摘要

主要介绍了AlN基稀磁半导体（DMS）的研究进展，包括其发展过程、AlN基DMS的研究现状，描述了理想的AlN基DMS材料应具备的特征，并展望了其未来的研究方向。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王腊节	南昌大学共青学院工程技术系	11	12	2.0	2.0
2	聂招秀	重庆大学数理学院	8	15	2.0	3.0