胶体金量子点浮置栅MOS结构的制备及其C-V特性

• 作者: 李卫
• 来源期刊: 南京邮电大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 金属-氧化层-半导体(MOS)结构 电容-电压(C-V) 纳米金颗粒 自组装
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 55-58
• 分类号: O472+.4|O484.4+2
• 字数: 2428字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-5439.2010.05.012

摘要

通过单相相转移法合成了胶体金纳米粒子,利用异种电荷之间的静电相互吸引作用,采用自组装技术制备了二维有序纳米金阵列.在此基础上,制备了在氧化层中内嵌纳米金颗粒的金属-氧化层-半导体(MOS)结构,并研究了其C-V特性.扫描电镜显示金粒子的直径在6~7 nm左右,C-V测量结果显示胶体金量子点浮置栅MOS结构存在3 V左右的平带电压偏移.通过这种方法制备的胶体金量子点浮置栅MOS结构可以在非挥发性存储器研究方面展现巨大的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李卫	南京邮电大学电子科学与工程学院	15	41	5.0	6.0