MFIS结构的C-V特性

• 作者: 姜国宝 汤庭鳌 汤祥云 钟琪 颜雷 黄维宁
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 不挥发非破坏性读出铁电存储器 存储窗口 铁电薄膜:电滞回线
• 年，卷（期）: 2000,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1203-1207
• 页数: 5页
• 分类号: TN432|TN384
• 字数: 2191字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.12.011

摘要

研究了运用SOL-GEL方法制备的Au/PZT(铅锆钛)/ZrO2/Si结构电容即MFIS(Metal/Ferroelectr c/Irsulator/Semiconductor)电容的方法,并对其进行了SEM、C-V特性测试及ZrO2介质层介电常数分析.研究了C-V存储窗口(Memory WindoW)电压与铁电薄膜和介质层厚度比的关系,得出MFIS电容结构中最佳铁电薄膜和介质层厚度比为7 10左右,在外加电压5V-+5V时存储窗口可达2.52V左右.