GaN基MFS结构C-V特性研究

• 作者: 宋建军 崔敏 张鹤鸣 戴显英 胡辉勇
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: PZT铁电薄膜 溶胶-凝胶法 MFS结构 C-V特性 阈值电压
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 页码范围: 684-686
• 分类号: TN386.2
• 字数: 2371字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2010.06.009

摘要

采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)在n型GaN衬底上制备了PZT铁电薄膜及其相应的金属-铁电体-半导体(MFS)结构,测量了该MFS结构的C-V特性,从理论上分析了所制备的MFS结构的阈值特性.阈值电压的实验与理论分析结果吻合较好.采用PZT铁电薄膜作为GaN基MFS结构的栅介质,利用其高介电常数和较强的极化电场可以显著降低GaN基MFS器件的工作电压.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴显英	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	55	329	10.0	15.0
2	胡辉勇	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	64	367	10.0	15.0
3	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	102	510	12.0	16.0
4	宋建军	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	36	204	9.0	12.0
5	崔敏	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	8	17	3.0	3.0