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浅析F30-ⅡG200mA X线机主可控硅的单向触发
浅析F30-ⅡG200mA X线机主可控硅的单向触发
作者:
濮晓明
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
脉动半波整流
磁通密度
磁场强度
峰值
有效值
摘要:
近几年北京万东公司出厂的F30-ⅡG200mA x线机与以往出厂的该型机器在电路上有所改进,其中高压初级电路由原来接触器控制通断改为由可控硅控制的无触点开关去控制高压初级通断,当可控硅有一路损坏开路或未触发时,使高压初级电流猛增、自耦变压器发出嗡嗡过载负荷声、拍片时厚部位不能穿透,负载时千伏表、电压表数值下跌明显.
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VHDL
电镦过程中可控硅移相触发和过零触发电路的比较
可控硅移相触发
过零触发
频谱分析
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基于80C196KC的CAM锁定功能实现可控硅的触发控制
80C196KC
单片机
可控硅
触发脉冲
内容分析
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关键词热度
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文献信息
篇名
浅析F30-ⅡG200mA X线机主可控硅的单向触发
来源期刊
中国现代医生
学科
医学
关键词
脉动半波整流
磁通密度
磁场强度
峰值
有效值
年,卷(期)
2010,(8)
所属期刊栏目
技术与方法
研究方向
页码范围
97,102
页数
2页
分类号
R197.38
字数
1107字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1673-9701.2010.08.055
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作者信息
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姓名
单位
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濮晓明
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研究起点
研究来源
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研究去脉
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相关学者/机构
期刊影响力
中国现代医生
主办单位:
中国医学科学院
出版周期:
旬刊
ISSN:
1673-9701
CN:
11-5603/R
开本:
大16开
出版地:
北京市朝阳区东四环中路78号楼(大成国际中心B座)708-3室
邮发代号:
80-611
创刊时间:
2007
语种:
chi
出版文献量(篇)
34652
总下载数(次)
12
总被引数(次)
156118
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