纳米Si3N4/氰酸酯树脂电子封装材料的研究

• 作者: 唐玉生 李倩 王倩倩 颜红侠
• 来源期刊: 中国胶粘剂
• 学科: 工学
• 关键词: 氰酸酯树脂 纳米Si3N4 增韧 介电性能 封装材料
• 年，卷（期）: 2010,（12）
• 页码范围: 14-17
• 分类号: TQ324.9
• 字数: 2011字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-2849.2010.12.004

摘要

采用硅烷偶联剂(KH-560)对nano-Si3N4进行表面处理,然后以此作为4,4'-二氰酸酯基二苯基甲烷(BCE)的改性剂,制备了nano-Si3N4/BCE电子封装材料,并研究了该体系的静态力学性能、动态力学性能以及介电性能.结果表明:nano-Si3N4的加入提高了材料的冲击强度和弯曲强度,当w(nano-Si3N4)=3%时,冲击强度、弯曲强度分别由纯BCE的10.1 kJ/m2和94.11 MPa提高到14.58 kJ/m2和112.13 MPa;Nano-Si3N4/BCE体系的储能模量在低温区略低于纯BCE体系,在高温区则略高于纯BCE体系;改性体系的介电常数高于纯BCE体系,但介电损耗因子则低于纯BCE体系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	颜红侠	西北工业大学理学院	130	1548	23.0	34.0
2	李倩	西北工业大学理学院	17	217	10.0	14.0
4	唐玉生	西北工业大学理学院	43	382	13.0	17.0
5	王倩倩	西北工业大学理学院	9	60	4.0	7.0