合成三氯氢硅深冷过程的计算及影响因素

• 作者: 张超
• 来源期刊: 有色冶金节能
• 学科: 工学
• 关键词: 三氯氢硅合成 深冷 计算 影响因素
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 页码范围: 27-29
• 分类号: TN304.02
• 字数: 1768字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-5122.2010.06.009

摘要

分别运用SRK状态方程和PR状态方程对三氯氢硅合成系统中压缩前后深冷的物料量进行了计算,并与实际检测结果进行比较,结果表明SRK方程和PR方程的计算结果均与实际检测结果相符合,可以用于压缩前后深冷的计算;通过计算得出,提高系统压力以及提高氯化氢气体的纯度均有利于氯硅烷的冷凝.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张超		3	4	1.0	2.0