一步电沉积法制备铜铟硫薄膜的研究

• 作者: 刘红娟 杨华 杨德仁 汪雷 王子奇
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 化学
• 关键词: CIS薄膜 一步电沉积 Cu/In比 退火
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 页码范围: 573-577
• 分类号: O649
• 字数: 3175字
• 语种: 中文

摘要

本文采用一步电沉积法在ITO玻璃衬底上成功制备了不同Cu/In比的CuInS2(CIS)薄膜.采用扫描电子显微镜、能谱仪、X射线衍射和紫外-可见分光光度计对制备的薄膜进行了表征,并研究了Cu/In比对薄膜结晶性和光学性能的影响.研究表明:通过优化电解液成分、pH值和电沉积条件,可得到均匀致密、与衬底结合力强的CIS薄膜;Cu/In比的增大有助于提高退火后薄膜的结晶性能,增大晶粒尺寸;所制备的薄膜均为单一黄铜矿相,具有较好的光吸收性能,其禁带宽度约为1.47 eV.