InAs单晶衬底的表面形貌和化学成分分析

• 作者: 段满龙 王俊 王应利 胡炜杰 赵有文
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: InAs单晶 衬底 表面
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 878-882
• 分类号: O472
• 字数: 3081字
• 语种: 中文

摘要

利用原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)和俄歇电子能谱(AES)分别研究了InAs单晶抛光片的表面形貌和化学构成.结果表明:机械化学抛光工艺条件和清洗腐蚀过程对InAs单晶抛光片表面的化学组分构成和表面粗糙度有很大的影响.通常情况下,InAs单晶抛光片的表面氧化层中含有In2O3、As2O5、As2O3及元素As,而随着As的挥发,使抛光片表面化学计量比明显富铟.通过适当的化学处理控制其表面的化学组分,减小了表面粗糙度,从而获得材料外延生长所要求的开盒即用InAs单晶衬底.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王俊	中国科学院半导体研究所	130	1155	16.0	27.0
2	赵有文	中国科学院半导体研究所	42	217	7.0	11.0
3	段满龙	中国科学院半导体研究所	11	95	5.0	9.0
4	胡炜杰	中国科学院半导体研究所	1	4	1.0	1.0
5	王应利	中国科学院半导体研究所	3	21	3.0	3.0