半导体器件功率老化的结温控制方法研究

• 作者: 冯永杰 李斌 黄云
• 来源期刊: 实验技术与管理
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体器件 功率老化 结温控制
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 所属期刊栏目: 实验技术与方法
• 页码范围: 46-49,79
• 分类号: TN307
• 字数: 4012字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-4956.2010.05.014

摘要

半导体器件功率老化所面临的主要问题是结温控制.为了确保半导体器件老化的可靠性,对现有的连续脉冲结温控制方法进行讨论和改进,并给出相应的结温测试电路.理论分析和实验表明,调整脉冲功率、脉冲占空比、脉冲频率,确能使器件结温达到老化的要求,并分析了脉冲功率、脉冲占空比、脉冲频率对结温的影响.最后在此基础上,提出一种多个分立器件使用单电源串行功率老化的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李斌	华南理工大学电子与信息学院微电子研究所	128	542	12.0	17.0
2	冯永杰	华南理工大学电子与信息学院微电子研究所	1	6	1.0	1.0
6	黄云	电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室	1	6	1.0	1.0