氧氩比对钴掺杂氧化锌薄膜光电性能的影响

• 作者: 周子游 徐仁伯 李宏建 李雪勇 王继飞 袁明
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Co-ZnO薄膜 电阻率 霍尔迁移率 透射光谱 光致发光谱
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 498-502
• 分类号: O472|O482.31
• 字数: 3262字
• 语种: 中文

摘要

以氧化锌陶瓷靶和金属钴靶为靶材,利用磁控共溅射方法制备钴掺杂氧化锌(Co-ZnO)薄膜.研究了氧氩比对薄膜的结构、光学和电学性能的影响.结果表明:薄膜具有类似于ZnO的六方纤锌矿结构,并沿c轴择优生长;当氧氩比为2:8时,薄膜具有较好的纳米晶粒和表面结构,其霍尔迁移率为2.188×104cm2/V·s,最小电阻率为1.326×104Ω·cm,其薄膜透光率最高,且在紫外区有一个相对较强的发射峰.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李宏建	中南大学物理科学与技术学院	51	208	8.0	11.0
5	袁明	中南大学物理科学与技术学院	7	143	3.0	7.0
6	周子游	中南大学物理科学与技术学院	3	20	2.0	3.0
7	李雪勇	中南大学材料科学与工程学院	6	41	3.0	6.0
8	王继飞	中南大学物理科学与技术学院	2	2	1.0	1.0
9	徐仁伯	中南大学材料科学与工程学院	6	21	3.0	4.0