去钻污及化学铜对ICD影响的试验和评估

• 作者: 吴楚龙 苏培涛
• 来源期刊: 印制电路信息
• 学科: 工学
• 关键词: 除胶渣 化学沉铜 正交实验 内层连接不良
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 所属期刊栏目: 孔化与电镀
• 页码范围: 41-44,48
• 分类号: TN41
• 字数: 1895字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-0096.2010.06.012

摘要

文章通过利用正交实验法对除胶渣和化学沉铜加工过程中影响孔壁内层连接性能的控制参数进行试验,寻找影响ICD的显著因子和工艺参数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	苏培涛		8	14	2.0	3.0
2	吴楚龙		1	1	1.0	1.0