原生CVD ZnS 6.2 μm处吸收峰的消除及机理分析

• 作者: 付利刚 吕反修 张福昌 王学武 赵永田 魏乃光
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 原生CVD ZnS Zn-H络合物 吸收峰
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 页码范围: 440-443,448
• 分类号: O73
• 字数: 3111字
• 语种: 中文

摘要

原生CVD ZnS的特征之一是由于内部与S空位相关的Zn-H络合物的存在而在6.2 μm处形成吸收峰.相对较低的沉积温度和较高的沉积压力以及Zn/H2S是产生这一问题的主要原因.通过改进实验参数(沉积温度、沉积压力、Zn/H2S),能够制备出与经过HIP处理过的ZnS一样的无Zn-H络合物的原生ZnS.本文依据Zn-H络合物产生的原因对沉积温度、压力等作用机理进行了分析,总结出进一步提高CVD ZnS质量的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕反修	北京科技大学材料科	151	1208	18.0	24.0
2	付利刚	北京科技大学材料科学与工程学院	4	11	2.0	3.0
6	张福昌		3	9	2.0	3.0
7	魏乃光		3	9	2.0	3.0
8	王学武		3	9	2.0	3.0
9	赵永田		1	2	1.0	1.0