CMOS伪差分E类射频功率放大器设计

• 作者: 罗志聪 黄世震
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: 伪差分E类 射频功率放大器 Load pull技术 寄生电感 CMOS
• 年，卷（期）: 2010,（10）
• 页码范围: 49-52
• 分类号: TP722
• 字数: 2869字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7820.2010.10.016

摘要

分析了E类功放的非理想因素,其中着重分析寄生电感对系统性能的影响,采用伪差分E类功放结构有效地抑制寄生电感的影响.最后基于理想的设计方程和Load Pull技术,采用0.18μm CMOS工艺,设计出高效率的差分E类功率放大器.在电源电压1.8 V,温度25℃,输入信号0 dBm条件下,具有最大输出功率26.1 dBm,PAE为60.2%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄世震	福州大学福建省微电子与集成电路重点实验室	93	587	13.0	19.0
2	罗志聪	福建农林大学机电工程学院	15	36	3.0	5.0