安森美推出新型N沟道30V功率MOSFET

• 来源期刊: 电子元器件应用
• 学科: 工学
• 关键词: 功率MOSFET器件 安森美半导体 N沟道 肖特基二极管 导通阻抗 时分
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 页码范围: 101
• 页数: 1页
• 分类号: TN701-4

摘要

安森美半导体推出带集成肖特基二极管的30V产品，扩充N沟道功率MOSFET器件阵容。这些器件包括：NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF．它们在10V时分别拥有2mn、3mΩ及5／7mΩ的最大导通阻抗（RDS（on））值，